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據(jù)外媒報(bào)道，三星電子承諾投資170億美元生產(chǎn)下一代工廠，以在日益增長(zhǎng)的片上系統(tǒng)（SoC）市場(chǎng)與臺(tái)積電和英特爾競(jìng)爭(zhēng)，未來(lái)美國(guó)將替代中國(guó)成為三星電子的主要海外芯片制造基地。三星電子在韓國(guó)總統(tǒng)文在寅訪問(wèn)美國(guó)之際，加入到其他韓國(guó)企業(yè)的步伐中，向美國(guó)進(jìn)行了投資。

三星電子車用處理器（圖片來(lái)源：三星電子）

5月21日，三星電子副主席和裝置解決方案負(fù)責(zé)人Kim Ki-nam證實(shí)，將向美國(guó)投資170億美元。Ki-nam未透露新工廠的具體地址，但大多數(shù)人認(rèn)為，新廠將位于其得州奧斯汀工廠的旁邊。奧斯汀芯片廠建于1996年，生產(chǎn)升態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和其他三星電子設(shè)計(jì)的儲(chǔ)存芯片，但在2005年轉(zhuǎn)型為無(wú)廠半導(dǎo)體公司（fabless chipmakers）。該公司在過(guò)去24年中總共投資了170億美元。

一個(gè)價(jià)值170億美元的新工廠可以使這家芯片工廠成為三星在韓國(guó)之外最大的工廠，超過(guò)在中國(guó)的業(yè)務(wù)規(guī)模。三星2012年在中國(guó)西安建設(shè)了一個(gè)專業(yè)生產(chǎn)NAND閃速存儲(chǔ)器的工廠，下半年第二家工廠建設(shè)完工，共花費(fèi)258億美元，

三星電子可能在美國(guó)新工廠采用5至3納米加工技術(shù)，旨在2023年開始商業(yè)生產(chǎn)，并挑戰(zhàn)臺(tái)積電在亞利桑那州350億美元的工廠，此工廠預(yù)計(jì)也將采用5至3納米加工技術(shù)。兩家公司是唯一的兩家可以從如此微小的納米水平生產(chǎn)晶圓的公司。

三星電子是全球最大的DRAM和NAND存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商，去年分別占全球銷量總額的43%和33%。在更大的代工芯片生產(chǎn)市場(chǎng)上，三星電子位居第二，臺(tái)積電遙遙領(lǐng)先于該公司，覆蓋了全球逾50%的芯片訂單。

另一家韓國(guó)芯片巨頭SK海力士宣布，將在美國(guó)硅谷建設(shè)一個(gè)NAND芯片和人工智能技術(shù)研發(fā)中心，價(jià)值10億美元。SK海力士在美國(guó)沒(méi)有芯片工廠，但該公司正以90億美元從美國(guó)芯片制造商英特爾收購(gòu)快閃記憶體業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)2025年完成收購(gòu)。

5月24日，三星電子收盤價(jià)下跌0.5%至每股79,700韓元（約70.71美元），SK海力士股價(jià)下跌2.45%至每股119,500韓元。